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半导体光电 2013年第02期杂志 文档列表

半导体光电杂志动态综述

蓝宝石上生长高质量InN单晶薄膜的研究发展第180-185页

关键词: 氮化铟；  单晶薄膜；  mocvd；  溅射技术；  hvpe；  

半导体光电杂志光电器件

垒层Si掺杂对多量子阱InGaN绿光LED性能的影响第186-189页

关键词: 绿光led；  ingan；  多量子阱；  si掺杂；  量子限制stark效应；  

一维位置敏感探测器的相位响应特性第193-196页

关键词: 位置敏感探测器；  相位；  相位差；  调制频率；  

基于Cs_2CO_3/Al结构的蓝光OLED器件第200-203页

关键词: 有机电致发光器件；  碳酸铯；  电子注入层；  

改进的稀疏近似逆预条件算法求解电磁场边值问题第208-211页

关键词: 预条件；  稀疏近似逆；  电磁场边值问题；  

GaN基TFT-LED有源阵列显示芯片的设计研究第212-214页

关键词: tft；  gan基led；  cadence；  有源阵列；  

半导体光电杂志材料、结构及工艺

多酚控制二水草酸锌形貌及三维氧化锌纳米结构性能研究第215-220页

关键词: 氧化锌；  三维纳米结构；  二水草酸锌；  多酚；  

大应变InGaAs/GaAs/AlGaAs微带超晶格中波红外QWIP的MOCVD生长第221-225页

关键词: ingaas；  gaas；  大应变；  微带超晶格结构；  量子阱红外探测器；  mocvd；  

粘结层空洞对功率器件封装热阻的影响第226-230页

关键词: 有限元分析；  粘结层；  热阻；  结温；  空洞率；  

共振线附近极化介质的电磁辐射第231-234页

关键词: 非线性；  介质极化；  多尺度法；  共振；  电磁辐射；  

一维光子晶体中光场局域态特性的研究第235-240页

关键词: 光子晶体；  缺陷模；  场强分布；  局域态；  

浅结密栅线硅太阳电池工艺研究第241-243页

关键词: 多晶硅电池；  方块电阻；  丝网印刷；  电性能；  

LPCVD多晶硅形貌对氧化层击穿特性的影响第244-246页

关键词: 击穿强度；  氧化；  多晶硅；  

HgI_2多晶薄膜的气相同质外延生长第247-250页

关键词: 碘化汞；  多晶薄膜；  同质外延；  定向生长；  

硅通孔尺寸与材料对热应力的影响第255-258页

关键词: 硅通孔；  热应力；  三维集成封装；  有限元分析；